Samsung сообщила о начале выпуска чипов памяти DDR3 по новой 20-нанометровой технологии

Компания Samsung сообщила о начале производства  20-нанометровых микрочипов памяти DDR3 DRAM емкостью 4 Гб. Как утверждается, это самые передовые устройства в своем классе.

Также в компании отметили, что для производства более «тонких» чипов памяти требуется больше усилий, нежели для производства памяти NAND. Дело в том, что для каждой ячейки памяти DRAM необходимы транзистор и конденсатор, а для памяти NAND требуется только транзистор.

Новые устройства DRAM на 4 Гб создаются с использованием иммерсионной литографии. При этом была усовершенствована методика, согласно которой осуществляется двойное формирование рисунка. В результате существующее фотолитографическое оборудование может массово производить 20-нанометровые микрочипы памяти DDR3.

Благодаря 20-нанометровой технологии компания способна увеличить объемы производства конечной продукции почти на 30 % в сравнение с 25-нанометровым технологическим процессом. Следует отметить, что энергопотребление модулей памяти уменьшилось на 25 %.

Новые достижения компании Samsung в скором времени позволят производить устройства вплоть до 10-нанометрового класса. По предположениям, новые микрочипы памяти можно будет использовать в широком спектре компьютерной техники.